离子注入（rù）机（jī）是芯（xīn）片制造中的核（hé）心关（guān）键装备。中国电科（kē）连续突破大流强长寿（shòu）命高品质离子源、高速晶圆传输等核心关（guān）键技术（shù），自主研制（zhì）中束流（liú）、大束流、高能、特种应用及（jí）第三（sān）代（dài）半导体等离子注入机（jī），工艺段覆（fù）盖至28nm，累计形成核心发明专利（lì）413项，实现我国芯片（piàn）制造领域（yù）全谱（pǔ）系离子注（zhù）入（rù）机自主（zhǔ）创（chuàng）新（xīn）发展，有效缓解（jiě）我国芯片制造领域断链、短链难（nán）题。

　　截止到目（mù）前，中（zhōng）国电科（kē）已成功实现离子注入机全（quán）谱系产品国（guó）产化，可（kě）为全球芯（xīn）片制造企（qǐ）业提（tí）供离子（zǐ）注入机一站式解决方案（àn）。下一步（bù），将瞄准高端，紧跟（gēn）先进工艺（yì）发展，加（jiā）快推进适用于更先进工艺节点离子注入机的研发及产业化。