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电科VR展厅

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中国电(diàn)科电子基(jī)础前(qián)沿成果(guǒ)酷(kù)炫来袭 体系亮相珠(zhū)海(hǎi)航展(zhǎn)
来源(yuán):新闻中心
发布(bù)时(shí)间:2024年11月(yuè)11日(rì) 编辑:新闻中心

  11月12日,在(zài)第十五(wǔ)届中国国际航空航天(tiān)博览会(huì)上,中国电科电子基础板块成体系展出核(hé)心元(yuán)器件、集成(chéng)电路、制造装备、封装(zhuāng)测试等领域从原材料到终端产(chǎn)品的(de)完整产业链(liàn),一大波电(diàn)子(zǐ)基础前沿成果惊艳亮相本(běn)届航(háng)展。

  “电子基础展(zhǎn)区直观展现了(le)我们在信(xìn)息技术领域的发(fā)展水平,全面的(de)专业领域(yù)、齐全(quán)的产业(yè)链及(jí)完备的自主创(chuàng)新能力,可以(yǐ)带(dài)动(dòng)相关(guān)产(chǎn)业的持续发(fā)展。”中国电(diàn)科(kē)相关(guān)技术负责人表示。

  走进(jìn)电子元器件领域展区,为本次展(zhǎn)会展出的电子元器件(jiàn)琳(lín)琅满目映入眼帘,具备自主技术产品体系的真空器(qì)件,光电子器件、电能(néng)源等领域元器件,4k红(hóng)外探测器芯片、5-18GHz超(chāo)宽带小型化(huà)微波功率(lǜ)模(mó)块、硅光无(wú)源SiN光学陀螺(luó)组件、数控YIG带阻滤波器组件、系(xì)列厚膜超(chāo)小(xiǎo)型(xíng)电源等(děng)产品,在(zài)航空航天、雷达(dá)、电子对抗(kàng)以(yǐ)及(jí)无线通信(xìn)方面各显其能。

  在集成电路展区(qū),中国电科全面布局一代(dài)、二代、三(sān)代、四代半导体领域,形成从材(cái)料-装备-工艺-设计-封测的完整产业链(liàn),成(chéng)功研发高性(xìng)能(néng)CPU、DSP、FPGA、MCU等高端芯片(piàn),抗辐射反熔丝PROM、总线(xiàn)接(jiē)口、射频模拟器、电源管理、砷化镓/氮化镓(jiā)微波毫米(mǐ)波单片电路、高速硅光模块等谱系化集成电(diàn)路(lù)产品,有(yǒu)力提升产(chǎn)业链供应链韧性和安全水平(píng)。

  “依(yī)托在(zài)集成电路(lù)装备(bèi)领域(yù)的深厚积淀(diàn),中国电科持续推进产品(pǐn)迭代升级和产业(yè)化应用,致力于为客户提(tí)供从单(dān)台-局部成套-整(zhěng)线集成的系统解决方案。”在集成(chéng)电路制造(zào)设备领域,离子注(zhù)入机、CMP、湿法清洗(xǐ)、立式炉、减薄划(huá)切(qiē)等关键(jiàn)核心设备成体系布(bù)局情(qíng)况清晰呈现。目前(qián),中国电科已具备(bèi)8英寸集成电路整线集成与局部成(chéng)套能力,并在第(dì)三代半导体设备领域方(fāng)面成体系布(bù)局了SiC单晶及外延生(shēng)长设备、SiC晶圆(yuán)减薄机、SiC晶圆缺陷检测设备、SiC高温退火及氧(yǎng)化炉等(děng)关键核心设(shè)备,具(jù)备(bèi)6-8英寸第三代半导体整线集成与局部成套能力。

  在电子测量(liàng)仪器领域,中国(guó)电科长(zhǎng)期致力于(yú)电子测试前沿技术的探索和研究,实现了高端(duān)重大科(kē)学仪器和通(tōng)用(yòng)电(diàn)子测量仪器(qì)系列重大技术(shù)突破(pò),特(tè)别是在微波(bō)毫米(mǐ)波(bō)、光电、通信(xìn)、基础测(cè)量以及相关技术领域。本(běn)次展览紧扣(kòu)低空经济、商(shāng)业航天、可持续(xù)航空(kōng)等前(qián)沿领域,重点展(zhǎn)出(chū)了雷达信号产生和分析解决方案、射频外场测试解决方(fāng)案、便携式雷达(dá)综(zōng)合(hé)测试回波模拟方案等产品,为航空航(háng)天事业提(tí)供中国测试方(fāng)案。

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